2016年4月12日上午10：18時，寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司總投資30億元，一期項目投資15億元的年產(chǎn)360萬片8英寸半導體級單晶硅片及年產(chǎn)120萬片12英寸半導體級單晶硅片項目開工奠基儀式，在銀川經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)隆重舉行。FerroTec（中國）集團總裁賀賢漢、上海申和熱磁電子有限公司常務副總裁郭建岳、杭州大和熱磁電子有限公司副總裁董小平，以及銀川經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管委會相關領導出席了奠基活動。
該項目將分三期建設，項目建成投產(chǎn)后可以填補國內(nèi)大硅片生產(chǎn)空白，以及彌補國內(nèi)生產(chǎn)半導體集成電路產(chǎn)業(yè)、汽車、計算機、消費電子、通訊、工業(yè)、醫(yī)療、政府和國防等產(chǎn)業(yè)對8英寸和12英寸半導體級單晶硅片需求，并保證了國內(nèi)市場供應硅片安全性及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完整和穩(wěn)定。同時，可降低我國對于高品質(zhì)半導體硅片的進口依賴，穩(wěn)定供應高品質(zhì)半導體硅片，大幅降低成本并增加產(chǎn)業(yè)競爭力，充分滿足我國集成電路產(chǎn)業(yè)對硅襯底基礎材料的迫切要求。通過開展高品質(zhì)半導體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，建成國際先進水平的8英寸和12英寸半導體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地，必將對我國硅材料加工技術的提高起到積極的作用，同時對加快科技成果產(chǎn)業(yè)化和社會效益具有重大意義。
本項目建設內(nèi)容和規(guī)模，主要有新增10000級凈空房2,800平方米，新增建設10,000KVA變壓器4臺，高低壓開關柜51臺，壓縮空氣系統(tǒng)1套，循環(huán)水系統(tǒng)3套，柴油發(fā)電機組1套，冷卻塔4臺。公用工程及輔助設施包含支持水電氣安裝、廠房空調(diào)及通風、低配室安裝工程、廠房照明系統(tǒng)工程、環(huán)氧地面工程、低配室、冷卻塔、廠房暖氣安裝工程廠房隔斷等其他零星土建工程。一期項目將于2017年12月竣工投產(chǎn)，該項目的建成投產(chǎn)，將會為促進開發(fā)區(qū)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，帶動地方經(jīng)濟建設作出新的貢獻。
奠基培土（賀總、馬耀勇副主任）
崔坤副主任致辭
賀賢漢總裁致辭
