碳化硅（SiC）——第三代半導(dǎo)體單晶材料
迄今為止，以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的第一、第二代半導(dǎo)體推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件需求也在增加，電流、電壓等級(jí)越來越高，芯片越薄越小，導(dǎo)通壓降低，開關(guān)頻率高、損耗小等等。Si基半導(dǎo)體由于材料特性所限已經(jīng)無法滿足需求，而以碳化硅SiC等新材料為主的新型半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)越的性能突破Si的瓶頸，給半導(dǎo)體器件性能帶來了顯著提升。
