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簡(jiǎn)要描述：晶圓加熱盤(pán)（Wafer Heating Plate），也稱(chēng)為加熱臺(tái)或加熱器，適用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、芯片、OLED光學(xué)變溫、晶圓測(cè)試等。它主要用于在加工晶圓時(shí)，對(duì)晶圓進(jìn)行精確的溫度控制，以確保制造過(guò)程中的穩(wěn)定性和高質(zhì)量，可用于各類(lèi)探針臺(tái)，溫控同時(shí)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：HW500 更新時(shí)間：2026-05-19訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：57產(chǎn)品地址：蘇州市吳江區(qū)江陵街道云創(chuàng)路233號(hào)產(chǎn)品分類(lèi)
詳細(xì)介紹
晶圓加熱盤(pán)（Wafer Heating Plate），也稱(chēng)為加熱臺(tái)或加熱器，適用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、芯片、OLED光學(xué)變溫、晶圓測(cè)試等。它主要用于在加工晶圓時(shí)，對(duì)晶圓進(jìn)行精確的溫度控制，以確保制造過(guò)程中的穩(wěn)定性和高質(zhì)量，可用于各類(lèi)探針臺(tái)，溫控同時(shí)進(jìn)行電學(xué)測(cè)試。
● 適配晶圓尺寸：4寸、6寸、8寸、12寸;
● 熱板冷板材質(zhì)：鋁合金\銅\ SUS316\420J2;
● 最高工作溫度：500℃;
● 最大升溫速率：40℃/min；
● 最大降溫速率：30℃/min(水冷)；
● 盤(pán)面溫度均勻性：±2℃（RT~200℃）；±1.5%（200-500℃）
● 溫度穩(wěn)定性：±1℃;
● 系統(tǒng)控溫精度：0.1℃;
● 環(huán)境真空度：10-5mbar;
● 配套溫控系統(tǒng)
產(chǎn)品咨詢(xún)
聯(lián)系人：趙先生
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